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可控硅模塊對(duì)于過流和過電壓有什么保護(hù)措施
點(diǎn)擊次數(shù):2360 更新時(shí)間:2018-07-26
  
  
  可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類。從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。
  
  可控硅模塊的主要弱點(diǎn)是承受過電流和過電壓的能力很差,即使短時(shí)間的過流和過電壓,也可能導(dǎo)致可控硅模塊的損壞,所以必須對(duì)它采用適當(dāng)?shù)谋Wo(hù)措施。下面就來看一下可控硅模塊的兩大保護(hù)措施:
  
  1.過電流保護(hù)
  
  可控硅模塊出現(xiàn)過電流的主要原因是過載、短路和誤觸發(fā)。過電流保護(hù)有以下三種:
  
  種是快速容斷器:快速容斷器中的溶絲是銀質(zhì)的,只要選用適當(dāng),在同樣的過電流倍數(shù)下,它可以在可控硅模塊損壞前先溶斷,從而保護(hù)了晶閘管。
  
  第二種是過電流繼電器:當(dāng)電流超過過電流繼電器的整定值時(shí),過電流繼電器就會(huì)動(dòng)作,切斷保護(hù)電路。但由于繼電器動(dòng)作到切斷電路需要一定時(shí)間,所以只能用作可控硅模塊的過載保護(hù)。
  
  第三種是過載截止保護(hù):利用過電流的信號(hào)將可控硅模塊的觸發(fā)信號(hào)后移,或使可控硅模塊得導(dǎo)通角減小,或干脆停止觸發(fā)保護(hù)可控硅模塊。
  
  2.過電壓保護(hù)
  
  過電壓可能導(dǎo)致可控硅模塊的擊穿,其主要原因是由于電路中電感元件的通斷、熔斷器熔斷或可控硅模塊導(dǎo)通與截止間的轉(zhuǎn)換。對(duì)過壓保護(hù)可采用兩種措施:
  
  種:阻容保護(hù)
  
  第二種:硒堆保護(hù)
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