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富士IGBT模塊2MBI300N-060

型號：	2MBI300N-060
報價：	1666

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

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詳細資料：

日本富士 IGBT 2單元600V系列：
2MBI50L-060	2MBI75L-060	2MBI100L-060	2MBI150L-060
2MBI50F-060	2MBI75F-060	2MBI100F-060	2MBI150F-060
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2MBI300KB-060	2MBI300NK-060	2MBI300NB-060	2MBI400U2B-060
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2MBI400NR-060	2MBI400L-060	2MBI400N-060	2MBI200TA-060-01
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日本富士 IGBT 2單元1200V系列：
2MBI25L-120	2MBI50L-120	2MBI75L-120	2MBI100L-120
2MBI25N-120	2MBI50N-120	2MBI75N-120	2MBI100N-120
2MBI75S-120	2MBI75SC-120	2MBI75UA-120	2MBI75U4A-120
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2MBI150SC-120	2MBI150SC-120	2MBI150NC-120	2MBI200L-120
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日本富士 IGBT 2單元1400V系列：
2MBI50P-140	2MBI75P-140	2MBI100PC-140	2MBI150PC-140
2MBI200PB-140	2MBI300P-140